电源管理仍然是一项重大挑战
过去电源管理技术经常被整合在应用处理器之内。然而，随着电源效能优化之重要性越来越高时，且已成为一项技术性的挑战之后，这种芯片嵌入式的方法就不再可行了。
Dialog的辅助电源管理IC(companion Power Management Integrated Circuits： PMICs)是一颗高度可程序化的IC芯片，因此能够支持单核或是多核应用处理器所要求的电压调整(voltage scaling)及功率输送排序(power delivery sequencing)功能。同样的，在电话中的子系统，例如网络与连接性堆栈(3G、4G LTE、无线网络连接、蓝牙以及近距离无线通讯)、显示屏、高像素相机，以及更多的子系统皆为如此。辅助电源管理IC通过与板上的应用处理器、网络连接性堆栈及多媒体显示与音效组件的高度整合，使功率效能优化。
在移动设备电路板上，用于与所有通讯、多媒体及处理模块高度整合在一起的辅助PMIC有其充分的理由。这颗PMIC必须能够负荷高达30组不同的供应电源，提供给应用处理器与基频处理器的各个部分，并正确组合电压与电流。假如你的电源管理是采用芯片嵌入式技术，由应用处理器来处理这些任务时，则你需要有一个高电流能力的电源供应，而这仅能透过汇集多引脚来达成。系统级芯片的设计工程师可以使用芯片外的专用辅助PMIC，来提供个别的低电压、低电流电源轨，这样可避免芯片上电源管理设计方式产生额外晶粒并提高成本效益。
Dialog长久以来提供不同的电源管理设计给全球顶尖的移动电话制造商及便携式消费性电子OEM厂商，因此专注于设计各方面的优化，其中包括电气、散热及封装的考虑，可让便携式设备的功率效能达到优化。
制造趋势
我们也看见了设备尺寸日趋轻薄小巧，但却装入比以往更多的功能。更细小的器件尺寸可能会引发高漏电流的危险性，这是短通道效应以及不同的掺杂水平所致，而这最终会让产业无法朝更小的尺寸迈进。
截至目前为止，制造方面有着重大的变化，其中也包括90年代晚期切换至铜互连工艺的时期，由于铜比铝的导电性较为佳，因此可促成更小金属器件的使用，且使用较少的电力就能通电。应变硅(strained silicon)是另一大进展，其中的硅原子被拉伸超出其正常的原子间距离。增加这些原子间的距离可以减少原子的作用力，降低其对于电子通过晶体管的干扰，如此便能达成更好的活动性，进而实现更佳的芯片效能及较低的功耗。
我们也看到了例如高k/金属闸等新堆栈材料的出现，以及FinFET(鳍式场效晶体管)此类全耗尽晶体管(fully depleted transistors)。现在的FinFET是3D结构，在平面基板上升起，相较于同样面积的平面闸，FinFET可以提供更大的容量。通道周围的闸门能提供优秀的通路控制，如此一来，当器件处于断开状态时，能通过主体的漏电流就微乎其微。这让低阈值电压的使用成为可行的，如此便能实现最佳的切换速度及功率。
还有许多其他有潜力的技术蓝图。例如，Dialog与全球最大的晶圆代工厂——台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC，台积电)共同合作最先进的0.13微米bipolar-CMOS-DMOS(BCD)技术，用于在小型单芯片电源管理IC中整合先进逻辑、类比及高电压器件，以支持下一代智能手机、平板电脑及超级本。
BCD工艺技术代表了驱动半导体产业各领域，包括应用端、设计及工艺持续前进的创新力量。此技术在同一片晶圆上结合了类比Bipolar(B)器件、互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductors， CMOS)以及高压电晶体说扩散金属氧化物半导体(Double Diffused Metal Oxide Semiconductors， DMOS)。系统设计师乐于采用此技术，因为它能减少功率损失、电路板空间及成本。Dialog此类的IC合作伙伴正积极推动BCD，因为该技术有助于制造更好、更小及更创新的产品。同时，随着现在的BCD技术是以200mm晶圆制造，晶圆厂得以让它们几乎折旧完毕的产线得以继续贡献生产力，如此能减少终端客户的成本并产生利润，或是能拥有投资其他新兴技术的更多空间。 |
