随着电子信息技术及新能源产业的快速发展，对功率变换器追求更高能效、更高集成度和更高可靠性的方案。在一些高增长的领域同时也是科技领先的领域，如电动汽车(EV)及其充电桩、5G基站、高铁、数据中心、太阳能逆变器等，需要更高密度功率转换器。常规硅（Si）半导体的功率变换器效率较低，采用宽禁带(WBG，指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料)电源半导体器件其频率更高，效率可达到99%，已进入研发和使用，并处于迅速上升趋势，未来几年，新基建、新能源市场将以70%的复合增长率快速增长[1]。
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